Dr inż. Andrzej Taube, Lider Obszaru przyrządów na bazie GaN w Łukasiewicz – Instytucie Mikroelektroniki i Fotoniki. Od ponad 15 lat prowadzi prace badawcze w dziedzinie przyrządów półprzewodnikowych na bazie półprzewodników o szerokiej przerwie zabronionej. Najnowsza tematyka jego prac badawczych dotyczy opracowania nowych wertykalnych przyrządów na bazie GaN i β-Ga2O3 oraz lateralnych tranzystorów GaN HEMT do zastosowań w elektronice mocy.
Posiada doświadczenie w projektowaniu konstrukcji przyrządów półprzewodnikowych z wykorzystaniem narzędzi typu TCAD, w stosowaniu różnych metod charakteryzacji cienkich warstw oraz w wytwarzaniu i charakteryzacji elektrycznej przyrządów półprzewodnikowych.
Kierownik 4 projektów badawczych FNP, MNiSW, NCN oraz główny wykonawca i kierownik prac B+R w projektach Centrum Łukasiewicz i NCBiR. Obecnie kieruje pracami prowadzonymi w Łukasiewicz-IMiF w ramach projektu Wide Band Gap (WBG) Pilot Line współfinansowanym przez UE (Chips JU) i kraje członkowskie.
Współautor ponad 60 artykułów i ponad 100 wystąpień konferencyjnych. Członek międzynarodowej rady redakcyjnej czasopisma „Materials Science in Semiconductor Processing”, recenzent w wielu innych czasopismach naukowych. Współautor 3 przyznanych patentów i 3 rozpatrywanych wniosków patentowych. Przewodniczący Sekcji Elektroniki Azotkowej KIGEiT.
